ATE功率器件静态参数测试机

详细说明

■ 单工站MOS DC IV参数测试UPH高达9K(注：单工站，7个DCIV测试项)

■ 单台主机支持3工站IV+CV或4工站IV并行测

■ 专用于Si/SiCMOSFET、二极管、三极管、IGBT等KGD、DBC及FT测试

■ 采用PXIe板卡架构，可根据需求灵活搭配板卡实现精准把控测试成本

■ 单卡高达2G局部通信总线带宽支持PXIe，TrigBus同步触发支持高达8线局部总线同步

■ 6U标准板卡兼容3U板卡

■ 提供单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出能力

■ 支持扩展高压、高流模组，蕞高可达3500V/2000A

■ 内置精密测量电路,实现pA级和uΩ级的精准测量

■ CV测试中速模式下基本精度高达0.05%

测试项目

■ 二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd

■ 三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo

■ Si MOS/IGBT/SiCMOS/GaN FET：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs